溅射镀膜基本原理是充(ar)气的真空条件下,使气进行辉光放电,这时(ar)原子电离成离子(ar+),离子在电场力的作用下,加速轰击以镀料制作的阴极靶材,靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电,称直流(qc)溅射,射频(rf)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(m)辉光放电引起的称磁控溅射。 电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下,用引弧针引弧,使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电,阴极表面快速移动着多个阴极弧斑,真空pvd镀膜机,不断迅速蒸发甚至“异华”镀料,使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体,并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑,所以也称多弧蒸发离化过程。
真空手套箱用磁控溅射离子镀技术为黄铜电镀亮铬的卫生洁具镀制zrn膜。真空手套箱设备采用基材为锆的非平衡磁控溅射靶和中频电源,以及脉冲偏压电源。
(1)抽真空
5 x 10-3~6.6 x 10-13pa本底真空。真空手套箱设备加热温度应在真空室器壁放气后又回升到100~150℃。
(2)轰击清洗
真空度:通---真空度保持在2~3pa。轰击电压:800~1000v,脉冲占空比20%。轰击时间:10min。
(3)手套箱
沉积锆底层
真空度:通入气,永康pvd镀膜机,真空度保持在s x l0-1pa。靶电压:400—550v,靶功率15 n 30w/crrr2。脉冲偏压:450~500v,占空比20 %。手套箱时间:5~10min。
镀zrn膜
真空度:通入氮气,真空度保持在(3~5) x 10-1pa。靶电压:400~550v,靶电流随靶的面积增大而加大。脉冲偏压:150~200v,占空比80 %。手套箱时间:20~30min。
由于真空手套箱磁控溅射技术中金属离化率低,不容易进行反应沉积,获得化合物膜层的工艺范围比较窄。真空手套箱设备可采用气体离子源将反应气体离化,扩大反应沉积的工艺范围。也可以采用柱状弧源产生的弧等离子体作为离化源,柱状弧源还是辅助手套箱源。
真空镀膜设备使用步骤
1电控柜的操作
1)开水泵、气源
2)开总电源
3)开维持泵、真空计电源,pvd镀膜机厂,真空计档位置v1位置,等待其值小于10后,再进入下一步操作。约需5分钟。
4)开机械泵、予抽,开涡轮分子泵电源、启动,真空计开关换到v2位置,抽到小于2为止,约需20分钟。
5)观察涡轮分子泵读数到达250以后,关予抽,开前机和高阀继续抽真空,抽真空到达一定程度后才能开右边的高真空表头,观察真空度。真空到达2×10-3以后才能开电子电源。
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