真空手套箱用磁控溅射离子镀技术为黄铜电镀亮铬的卫生洁具镀制zrn膜。真空手套箱设备采用基材为锆的非平衡磁控溅射靶和中频电源,以及脉冲偏压电源。
(1)抽真空
5 x 10-3~6.6 x 10-13pa本底真空。真空手套箱设备加热温度应在真空室器壁放气后又回升到100~150℃。
(2)轰击清洗
真空度:通---真空度保持在2~3pa。轰击电压:800~1000v,脉冲占空比20%。轰击时间:10min。
(3)手套箱
沉积锆底层
真空度:通入气,真空度保持在s x l0-1pa。靶电压:400—550v,pvd真空镀膜机厂,靶功率15 n 30w/crrr2。脉冲偏压:450~500v,武汉pvd真空镀膜机,占空比20 %。手套箱时间:5~10min。
镀zrn膜
真空度:通入氮气,真空度保持在(3~5) x 10-1pa。靶电压:400~550v,靶电流随靶的面积增大而加大。脉冲偏压:150~200v,占空比80 %。手套箱时间:20~30min。
由于真空手套箱磁控溅射技术中金属离化率低,不容易进行反应沉积,获得化合物膜层的工艺范围比较窄。真空手套箱设备可采用气体离子源将反应气体离化,扩大反应沉积的工艺范围。也可以采用柱状弧源产生的弧等离子体作为离化源,柱状弧源还是辅助手套箱源。
离子镀基本原理是在真空条件下,采用某种等离子体电离技术,使镀料原子部分电离成离子,同时产生许多高能量的中性原子,在被镀基体上加负偏压。这样在---负偏压的作用下,离子沉积于基体表面形成薄膜。
物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤:
(1)镀料的气化:即使镀料蒸发,升华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。
(2)镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。
(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。
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pvd真空镀膜机与您分享物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用,但30年迅速发展,成为一门---广阔应用前景的新技术,并向着型、清洁型趋势发展。20世纪90年代初至今,在钟表行业,尤其是手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为广泛的应用。
真空蒸镀基本原理是在真空条件下,使金属、金属合金或化合物蒸发,然后沉积在基体表面上,蒸发的方法常用电阻加热,高频感应加热,pvd真空镀膜机价格,电子束、激光束、离子束高能轰击镀料,pvd真空镀膜机多少钱,使蒸发成气相,然后沉积在基体表面,历,真空蒸镀是pvd法中使用早的技术。
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